1 сентября 2026
Samsung Electronics представила макеты двух новых конструкций микросхем памяти, zHBM и zNAND-O, а также микросхему флэш-памяти NAND сверхвысокой емкости, поскольку в ней излагается технологическая дорожная карта, направленная на удовлетворение растущего спроса на память со стороны систем искусственного интеллекта.Чипы были впервые представлены на отраслевой конференции Future of Memory and Storage 2026, которая продлится до четверга в Санта-Кларе, штат Калифорния.
Память с высокой пропускной способностью (HBM) состоит из нескольких слоев микросхем динамической оперативной памяти (DRAM), соединенных тысячами крошечных вертикальных проводников, что позволяет данным перемещаться между слоями гораздо быстрее, чем в обычной памяти. Благодаря такой скорости HBM стала предпочтительным типом памяти для ускорителей искусственного интеллекта.
Технология zHBM от Samsung развивает эту концепцию. Если чипы HBM в настоящее время располагаются рядом с ускорителем искусственного интеллекта в одном корпусе, то в zHBM память находится непосредственно над ускорителем, что сокращает расстояние, которое должны преодолевать данные. По словам представителей Samsung, эта технология позволяет системам работать в восемь раз быстрее, чем при использовании HBM5, при этом повышая энергоэффективность до трех раз и снижая тепловое сопротивление более чем наполовину. zHBM также можно модифицировать, что позволит производителям чипов добавлять специализированные схемы для увеличения объема памяти или повышения производительности для конкретных заказчиков.
Samsung также представила zNAND-O — версию флэш-памяти NAND следующего поколения, используемую для долгосрочного хранения данных. В отличие от zHBM, которая предназначена для ускорителей искусственного интеллекта, zNAND-O разработана для ИИ на устройстве — задач искусственного интеллекта, которые обрабатываются локально на устройстве, а не в удаленном центре обработки данных. Чип сочетает в себе традиционную многослойную структуру NAND и технологию соединения, при которой четыре или восемь полупроводниковых чипов объединяются в один, что повышает плотность хранения данных при одновременном уменьшении физического размера.
Отдельно Samsung представила V10 BV-NAND — флэш-память V-NAND 10-го поколения и первую в отрасли микросхему, состоящую из более чем 400 слоев. Компания добилась такой высоты за счет межпластинчатого соединения — метода, при котором отдельно изготовленные кремниевые пластины соединяются вертикально, а не все слои размещаются на одной пластине. По словам представителей Samsung, такой подход увеличивает плотность хранения данных примерно на 58 процентов по сравнению с чипом предыдущего поколения V9, а также повышает скорость чтения и записи.
Помимо новых чипов, Samsung представила HBM4E — прототип HBM5 с новой технологией охлаждения под названием Heat Path Block, а также LPDDR5X-PIM — чип памяти, который, по словам компании, является первым в отрасли чипом, выполняющим вычисления внутри самой памяти, а не передающим данные на отдельный процессор.
В феврале Samsung стала первым производителем чипов, начавшим массовые поставки HBM4, а в мае предоставила клиентам образцы HBM4E. Согласно данным за второй квартал 2026 года от аналитической компании Counterpoint Research, крупнейшую долю рынка DRAM занимает компания Samsung — 39 процентов, за ней следуют SK hynix с 26 процентами, Micron с 25 процентами и CXMT с 7 процентами.