22 июля 2026
Устройства PowerGaN напряжением 700 В повышают энергоэффективность и обеспечивают более компактные схемы питания для серверов искусственного интеллекта, робототехники, промышленных систем и передовых потребительских приложений, включая бытовую технику.Новые силовые полупроводники на основе нитрида галлия (GaN) от STMicroelectronics предназначены для повышения эффективности и удельной мощности в востребованных областях применения, способствующих электрификации. Устройства PowerGaN на 700 В из линейки STPOWER решают такие проблемы, как растущее энергопотребление серверов искусственного интеллекта и необходимость в более эффективном преобразовании энергии, выходящем за рамки традиционных кремниевых технологий.
Новые устройства PowerGaN от ST обеспечивают высокую эффективность и удельную мощность высоковольтных источников питания. Разработанные с учетом номинального рабочего напряжения 700 В, они поддерживают надежную работу с высокой мощностью и высокочастотные топологии. Присущие PowerGaN преимущества, в том числе низкие потери на проводимость, очень низкие потери при переключении на высоких рабочих частотах и нулевой заряд обратного восстановления, позволяют уменьшить размер, вес и рабочую температуру системы. Эти характеристики важны для силовых полупроводников, используемых в робототехнике, промышленных источниках питания и преобразователях «умных сетей» для производства, распределения и хранения энергии.
«Расширение нашего портфеля PowerGaN за счет новых устройств на 700 В позволяет использовать преимущества технологии нитрида галлия в устройствах средней и высокой мощности», — сказал Марио Алео, исполнительный вице-президент подразделения Power & Discrete компании STMicroelectronics. «Мы продолжим расширять портфель, добавляя устройства с другими номинальными напряжениями и характеристиками, подтверждая нашу приверженность нитриду галлия для будущих серверов искусственного интеллекта, человекоподобных роботов, промышленного оборудования и передовых потребительских устройств, включая бытовую технику».
Технические примечания для редакторов:
Семь новых транзисторов с индуцированным каналом на основе нитрида галлия (GaN enhancement-mode transistor, HEMT), которые теперь входят в серию 700V PowerGaN компании ST, рассчитаны на широкий диапазон номинальных значений постоянного тока — от 6 до 29 А — и типичное значение RDS(on) от 53 до 270 мОм. Кроме того, благодаря сверхнизкой внутренней емкости и низкому заряду затвора, характерным для технологии широкозонных нитридов галлия, каждый из них по показателю Qg x RDS(on) (FoM) значительно превосходит традиционные кремниевые устройства.
Устройства на 700 В, соответствующие стандартам надежности STMicroelectronics, расширяют возможности выбора и обеспечивают передовые характеристики и эффективность. Их можно использовать в схемах преобразования энергии вместо полевых МОП-транзисторов или для создания новых высокочастотных топологий. Их способность работать на повышенных частотах переключения позволяет уменьшить размеры магнитных и пассивных компонентов, что обеспечивает более компактное силовую часть и более высокую удельную мощность.
Устройства поставляются в корпусах для поверхностного монтажа DPAK, TO-LL и PowerFLAT, которые хорошо зарекомендовали себя на практике и широко поддерживаются основными библиотеками и наборами инструментов для автоматизации проектирования электроники. Устройства в корпусах TO-LL и PowerFLAT имеют соединение по схеме Кельвина, которое отделяет схему управления затвором от основного пути питания, что обеспечивает максимальную помехоустойчивость, защиту драйвера затвора и запас по времени. Представленные устройства:
• SGT350R70GTK (6 А, 270 мОм*) в 3-контактном корпусе DPAK размером 6,10 x 6,60 мм с выводным контактом для пайки.
• SGT070R70HTO (26 А, 53 мОм*) в бессвинцовом корпусе TO-LL с термоэффективными соединениями стока и истока.
• SGT080R70ILB (29 А, 60 мом *), SGT105R70ILB (21,7 А, 80 мом *), SGT140R70ILB (17 А, 106 мом *), SGT190R70ILB (11,5 А, 138 мом *), SGT240R70ILB (10 А, 165 мом *) в PowerFLAT 8 × 8 с припаиваемой прокладкой источника питания для повышения тепловых характеристик.