8 октября 2025
Новость

Infineon добавляет в портфолио CoolSiC полевые МОП-транзисторы на 400 и 440 В Компания Infineon Technologies AG из Мюнхена, Германия, расширила ассортимент полевых МОП-транзисторов CoolSiC 400 В G2, добавив в него корпус TOLT с охлаждением с верхней стороны (TSC), а также корпуса TO-247-3 и TO-247-4. Кроме того, были представлены три новых продукта в корпусе TOLL с номинальным напряжением 440 В (постоянное) и 455 В (переменное).

Новый полевой МОП-транзистор CoolSiC G2 от Infineon на 400 В.

Изображение: новый 400-вольтовый полевой МОП-транзистор CoolSiC G2 от Infineon.

Утверждается, что новые полевые МОП-транзисторы CoolSiC обеспечивают улучшенные тепловые характеристики, эффективность системы и удельную мощность. Они были специально разработаны для удовлетворения требований мощных и ресурсоёмких приложений, включая серверные блоки питания для искусственного интеллекта, солнечные инверторы, источники бесперебойного питания (ИБП), аудиоусилители класса D, электроприводы и твердотельные автоматические выключатели. Для этих критически важных систем устройства обеспечивают необходимую надёжность и производительность.

По сравнению с существующими кремниевыми технологиями в классах напряжения 250 В и 300 В, полевые МОП-транзисторы CoolSiC G2 на 400 В и 440 В обеспечивают снижение потерь при проводимости до 50 % при рабочей температуре 120 °C благодаря постоянному значению R(DS(on) в зависимости от температуры перехода (Tj). Они также отличаются значительно улучшенными показателями переключения, что позволяет снизить заряд обратного восстановления как минимум в пять раз. На системном уровне МОП-транзисторы CoolSiC G2 400 В и 440 В в трехступенчатом CCM totem-pole PFC с плавающим конденсатором достигли на 0,4 процентных пункта более высокой пиковой эффективности блока питания (PSU) по сравнению с современным чередующимся двухуровневым CCM totem-pole PFC. Это приводит примерно на 15% к снижению системных потерь при максимальной эффективности.

Линейка CoolSiC MOSFET на 400 В и 440 В G2 уже доступна.